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火蓝动态
研磨针与蚀刻针的对比评价
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发布时间:
2020-09-09 08:52
摘要:
【技术】PCB的工艺流程全攻略
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发布时间:
2020-02-20 15:44
摘要:
来源:PCB资讯1.开料(CUT) 开料是把原始的覆铜板切割成能在生产线上制作的板子的过程 首先我们来了解几个概念: 1)UNIT:UNIT是指PCB设计工程师设计的单元图形。 2)SET:SET是指工程师为了提高生产效率、方便生产等原因,将多个UNIT拼在一起成为的一个整体的图形。也就是我们常说的拼板,它包括单元图形、工艺边等等。 3)PANEL:PANEL是指PCB厂家生产时,为了提高效率、方便生产等原因,将多个SET拼在一起并加上工具板边,组成的一块板子。 2.内层干膜(INNERDRYFILM) 内层干膜是将内层线路图形转移到PCB板上的过程。 在PCB制作中我们会提到图形转移这个概念,因为导电图形的制作是PCB制作的根本。所以图形转移过程对PCB制作来说,有非常重要的意义。 内层干膜包括内层贴膜、曝光显影、内层蚀刻等多道工序。内层贴膜就是在铜板表面贴上一层特殊的感光膜,就是我们所说的干膜。这种膜遇光会固化,在板子上形成一道保护膜。曝光显影是将贴好膜的板进行曝光,透光的部分被固化,没透光的部分还是干膜。然后经过显影,褪掉没固化的干膜,将贴有固化保护膜的板进行蚀刻。再经过退膜处理,这时内层的线路图形就被转移到板子上了。其整个工艺流程如下图。对于设计人员来说,我们最主要考虑的是布线的最小线宽、间距的控制及布线的均匀性。因为间距过小会造成夹膜,膜无法褪尽造成短路。线宽太小,膜的附着力不足,造成线路开路。所以电路设计时的安全间距(包括线与线、线与焊盘、焊盘与焊盘、线与铜面等),都必须考虑生产时的安全间距。  1)前处理:磨板   磨板的主要作用:基本前处理主要是解决表面清洁度和表面粗糙度的问题。去除氧化,增加铜面粗糙度,便于菲林附着在铜面上。2)贴膜  将经过处理的基板通过热压或涂覆的方式贴上干膜或湿膜,便于后续曝光生产。3)曝光   将底片与压好干膜的基板对位,在曝光机上利用紫外光的照射,将底片图形转移到感光干膜上。4)显影   利用显影液(碳酸钠)的弱碱性将未经曝光的干膜/湿膜溶解冲洗掉,已曝光的部分保留。5)蚀刻  未经曝光的干膜/湿膜被显影液去除后会露出铜面,用酸性氯化铜将这部分露出的铜面溶解腐蚀掉,得到所需的线路。6)退膜   将保护铜面的已曝光的干膜用氢氧化钠溶液剥掉,露出线路图形。3.棕化  目的:是使内层铜面形成微观的粗糙和有机金属层,增强层间的粘接力。 流程原理:  通过化学处理产生一种均匀,有良好粘合特性的有机金属层结构,使内层粘合前铜层表面受控粗化,用于增强内层铜层与半固化片之间压板后粘合强度。4.层压  层压是借助于pp片的粘合性把各层线路粘结成整体的过程。这种粘结是通过界面上大分子之间的相互扩散,渗透,进而产生相互交织而实现,将离散的多层板与pp片一起压制成所需要的层数和厚度的多层板。实际操作时将铜箔,粘结片(半固化片),内层板,不锈钢,隔离板,牛皮纸,外层钢板等材料按工艺要求叠合。对于设计人员来说,层压首先需要考虑的是对称性。因为板子在层压的过程中会受到压力和温度的影响,在层压完成后板子内还有应力存在。因此如果层压的板子两面不均匀,那两面的应力就不一样,造成板子向一面弯曲,大大影响PCB性能。 另外,就算在同一平面,如果布铜分布不均匀时,会造成各点的树脂流动速度不一样,这样布铜少的地方厚度就会稍薄一些,而布铜多的地方厚度就会稍厚一些。  为了避免这些问题,在设计时对布铜的均匀性、叠层的对称性、盲埋孔的设计布置等等各方面的因素都必须进行详细的考虑。5.钻孔  使线路板层间产生通孔,达到连通层间的目的。6.沉铜板镀  1)沉铜   也叫化学铜,钻孔后的PCB板在沉铜缸内发生氧化还原反应,形成铜层从而对孔进行孔金属化,使原来绝缘的基材表面沉积上铜,达到层间电性相通。 2)板镀   使刚沉铜出来的PCB板进行板面、孔内铜加厚到5-8um,防止在图形电镀前孔内薄铜被氧化、微蚀掉而漏基材。 7.外层干膜  和内层干膜的流程一样。8.外层图形电镀、SES 将孔和线路铜层加镀到一定的厚度(20-25um),以满足最终PCB板成品铜厚的要求。并将板面没有用的铜蚀刻掉,露出有用的线路图形。 9.阻焊 阻焊,也叫防焊、绿油,是印制板制作中最为关键的工序之一,主要是通过丝网印刷或涂覆阻焊油墨,在板面涂上一层阻焊,通过曝光显影,露出要焊接的盘与孔,其它地方盖上阻焊层,防止焊接时短路 10.丝印字符 将所需的文字,商标或零件符号,以网板印刷的方式印在板面上,再以紫外线照射的方式曝光在板面上。11.表面处理 裸铜本身的可焊性能很好,但长期暴露在空气中容易受潮氧化,倾向于以氧化物的形式存在,不大可能长期保持为原铜,因此需要对铜面进行表面处理。表面处理最基本的目的是保证良好的可焊性或电性能。 常见的表面处理:喷锡、沉金、OSP、沉锡、沉银,镍钯金,电硬金、电金手指等。 12.成型  将PCB以CNC成型机切割成所需的外形尺寸。13.电测 模拟板的状态,通电进行电性能检查,是否有开、短路。 14.终检、抽测、包装  对板的外观、尺寸、孔径、板厚、标记等检查,满足客户要求。将合格品包装成捆,易于存储,运送。 【免责声明】文章为作者独立观点,不代表火蓝电子立场。如因作品内容、版权等存在问题,请于本文刊发30日内联系火蓝电子进行删除或洽谈版权使用事宜
超详细!28种芯片封装技术的详细介绍
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摘要:
来源:ittbank 1、BGA|ballgridarray  也称CPAC(globetoppadarraycarrier)。球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方;而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。 该封装是美国Motorola公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,随后在个人计算机中普及。最初,BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为MPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC。2、C-(ceramic) 表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。 3、COB(chiponboard) COB(chiponboard) 板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。 4、DIP(dualin-linepackage)  DIP(dualin-linepackage)  双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。欧洲半导体厂家多用DIL。DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为SK-DIP(skinnydualin-linepackage)和SL-DIP(slimdualin-linepackage)窄体型DIP。但多数情况下并不加区分,只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为Cerdip(4.2)。 4.1DIC(dualin-lineceramicpackage)  陶瓷封装的DIP(含玻璃密封)的别称。 4.2Cerdip: 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECLRAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从8到42。在日本,此封装表示为DIP-G(G即玻璃密封的意思)。 4.3SDIP(shrinkdualin-linepackage) 收缩型DIP。插装型封装之一,形状与DIP相同,但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54mm) 因而得此称呼。引脚数从14到90。有陶瓷和塑料两种。又称SH-DIP(shrinkdualin-linepackage)  5、flip-chip  倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在LSI芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。 6、FP(flatpackage)  扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。 7、H-(withheatsink) 表示带散热器的标记。例如,HSOP表示带散热器的SOP。 8、MCM(multi-chipmodule) 多芯片组件 MCM(multi-chipmodule)  将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM-L,MCM-C和MCM-D三大类。  MCM-L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低。 MCM-C是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。  MCM-D是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。 布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。  9、P-(plastic)  表示塑料封装的记号。如PDIP表示塑料DIP。 10、Piggyback 驮载封装。指配有插座的陶瓷封装,形关与DIP、QFP、QFN相似。在开发带有微机的设备时用于评价程序确认操作。例如,将EPROM插入插座进行调试。这种封装基本上都是定制品,市场上不怎么流通。 11、QFP(quadflatpackage)四侧引脚扁平封装 QFP(quadflatpackage) 表面贴装型封装之一,引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。基材有陶瓷、金属和塑料三种。从数量上看,塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时,多数情况为塑料QFP。塑料QFP是最普及的多引脚LSI封装。不仅用于微处理器,门陈列等数字逻辑LSI电路,而且也用于VTR信号处理、音响信号处理等模拟LSI电路。引脚中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm等多种规格。0.65mm中心距规格中最多引脚数为304。 有的LSI厂家把引脚中心距为0.5mm的QFP专门称为收缩型QFP或SQFP、VQFP。但有的厂家把引脚中心距为0.65mm及0.4mm的QFP也称为SQFP,至使名称稍有一些混乱。 另外按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准把引脚中心距为0.65mm、本体厚度为3.8mm~2.0mm的QFP称为MQFP(metricquadflatpackage)。日本电子机械工业会标准所规定引脚中心距.55mm、0.4mm、0.3mm等小于0.65mm的QFP称为QFP(FP)(QFPfinepitch),小中心距QFP。又称FQFP(finepitchquadflatpackage)。但现在日本电子机械工业会对QFP的外形规格进行了重新评价。在引脚中心距上不加区别,而是根据封装本体厚度分为QFP(2.0mm~3.6mm厚)、LQFP(1.4mm厚)和TQFP(1.0mm厚)三种。  QFP的缺点是,当引脚中心距小于0.65mm时,引脚容易弯曲。为了防止引脚变形,现已出现了几种改进的QFP品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见11.1);带树脂保护环覆盖引脚前端的GQFP;在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专用夹具里就可进行测试的TPQFP。在逻辑LSI方面,不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFP里。引脚中心距最小为0.4mm、引脚数最多为348的产品也已问世。此外,也有用玻璃密封的陶瓷QFP(见11.9)。  11.1BQFP(quadflatpackagewithbumper)  带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84到196左右。 11.2QIC(quadin-lineceramicpackage) 陶瓷QFP的别称。部分半导体厂家采用的名称。 11.3QIP(quadin-lineplasticpackage) 塑料QFP的别称。部分半导体厂家采用的名称。 11.4PFPF(plasticflatpackage) 塑料扁平封装。塑料QFP的别称。部分LSI厂家采用的名称。 11.5QFH(quadflathighpackage)  四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP的一种,为了防止封装本体断裂,QFP本体制作得较厚。部分半导体厂家采用的名称。 11.6CQFP(quadfiatpackagewithguardring)  带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变形。 在把LSI组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm,引脚数最多为208左右。 11.7MQUAD(metalquad)  美国Olin公司开发的一种QFP封装。基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。在自然空冷条件下可容许2.5W~2.8W的功率。日本新光电气工业公司于1993年获得特许开始生产。 11.8L-QUAD 陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8倍,具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装,在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装,并于1993年10月开始投入批量生产。 11.9Cerquad  表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP好,在自然空冷条件下可容许1.5~2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3~5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。 12、QFG(quadflatJ-leadedpackage)四侧J形引脚扁平封装  表面贴装封装之一。引脚从封装四个侧面引出,向下呈J字形。是日本电子机械工业会规定的名称。引脚中心距1.27mm。材料有塑料和陶瓷两种。 塑料QFJ多数情况称为PLCC(plasticleadedchipcarrier),用于微机、门陈列、DRAM、ASSP、OTP等电路。引脚数从18至84。  陶瓷QFJ也称为CLCC(ceramicleadedchipcarrier)、JLCC(J-leadedchipcarrier)。带窗口的封装用于紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机芯片电路。引脚数从32至84。 13、QFN(quadflatnon-leadedpackage) QFN(quadflatnon-leadedpackage) 四侧无引脚扁平封装,表面贴装型封装之一,是高速和高频IC用封装。现在多称为LCC。QFN是日本电子机械工业会规定的名称。封装四侧配置有电极触点,由于无引脚,贴装占有面积比QFP小,高度比QFP低。但是,当印刷基板与封装之间产生应力时,在电极接触处就不能得到缓解。因此电极触点难于做到QFP的引脚那样多,一般从14到100左右。  材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距1.27mm。塑料QFN是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm外,还有0.65mm和0.5mm两种。这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P-LCC等。 13.1PCLP(printedcircuitboardleadlesspackage)   印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称。引脚中心距有0.55mm和0.4mm两种规格。目前正处于开发阶段。 13.2P-LCC(plasticteadlesschipcarrier)(plasticleadedchipcurrier) 有时候是塑料QFJ的别称,有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ和QFN)。部分LSI厂家用PLCC表示带引线封装,用P-LCC表示无引线封装,以示区别。 14、QFI(quadflatI-leadedpackgage)四侧I形引脚扁平封装
封测行业复苏在即,先进封装需求强劲!
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摘要:
来源:东方财富证券 根据WSTS预测,2019年全球半导体产业销售额共计4065.87亿美元,同比下滑13.27%,降幅仅次于金融危机后的下滑幅度,全球各大半导体厂商业绩均出现不同程度的下滑。但是自2019年三季度及四季度开始全球半导体景气逐步走出阴霾,供应链库存水位已经逐步降至正常水平,晶圆厂产能利用率已经逐季提升,加上下半年智能手机需求旺季来临,也极大程度上提升了半导体相关产品的需求,全球半导体产业已经正式进入复苏阶段,展望2020年,半导体市场在智能手机、5G以及人工智能等产业的驱动下,2020年全球半导体销售额将同比增长4.79%。我国集成电路产业急速发展 根据中国半导体协会数据,2019年前三季度我国集成电路产业销售额为5049.9亿元,同比增长13.19%,在全球产业链处于下滑的大环境下,依旧保持稳定的增长,自2007年至2018年,我国集成电路产业规模复合增长率为16.21%,全球复合增速仅为4.31%。集成电路产品进口金额逐年攀升虽然我国集成电路产业规模增长迅速,但是相关产业仍处于极度依赖进口的状态,多年以来都是我国第一大进口产品,高于原油的进口金额。根据我国海关总署统计,2018年我国集成电路金额金额为3120.59亿元,首次突破三千亿美元关口,截至2019年11月数据,我国共进口集成电路产品共计2778.62亿美元。 多项政策出台支持我国集成电路产业发展 封测产业作为国产替代先锋,取得了长足的进步 1.集成电路制造工艺 集成电路制造流程包括集成电路的设计、芯片制造、集成电路封装及测试四个部分,集成电路从设计到封装测试需要经过几十道复杂的工序。 2.封测是必不可少的环节 封装是集成电路产业链里必不可少的环节,具体是将通过测试的晶圆加工得到独立芯片过程,使电路免受周围环境影响,主要功能包括保护芯片、增强散热、实现电气及物理连接、功率及信号分配等,起到共同芯片内部和外部电路的作用,是集成电路与外部系统互联的桥梁。 半导体封测主要分为两部分,首先是进入封装前的经院测试,主要测试电性,然后是封装完成后的成品测试,目的是检验IC功能、电性以及散热功能的正常运作。根据Gartner统计,封装环节占到整个封测市场份额的80-85%,测试环节占比约为15-20%。 半导体下游终端产品种类众多,不同类型的产品适用于不同的封装形式。 3.受益于代工模式,封测行业发展迅速 全球集成电路相关企业主要分为两类,第一种是涵盖了集成电路设计、制造以及封装测试为一体的垂直整合型公司,也被称作IDM公司,例如三星、英特尔、海力士、美光等,其经营模式都是垂直整合型为主,公司内部对设计、制造、封测进行了专业化的分工,形成独立专业化的公司,业务流程包括半导体制造的整个过程。 另外一种则是将IDM公司进行拆分形成独立的公司,可以分为IC设计公司,晶圆代工厂以及封装测试厂,全球知名的IC设计公司包括高通、博通,晶圆代工厂包括台积电、格芯、中芯国际,封装测试厂包括安靠、日月光、长电科技、通富微电等。 从2018年全球排名前十的厂商来看,实施IDM模式和Fabless或Foundry模式的公司基本上二分天下。IDM模式盛行于半导体产业发展初期,在这种模式下厂商需要投入大量的资金建立生产线,风险高资产重。随着产业的发展,智能手机等应用需求快速爆发,这些新兴应用具有技术更迭迅速的特点,传统的IDM模式很难跟上产业的发展,具备轻资产的IC设计公司不断崛起,IDM企业的产能遇到瓶颈,推动了代工企业的发展。 根据Gartner统计数据显示,2008年IDM与OSAT产业规模对比为56%比44%,2013年之后OSAT产业规模已经超过了IDM模式,到2018年OSAT模式产业规模占比已经达到了54%。 OSAT加Foundry模式避免了前期大额的资本投入,对市场的需求变化调整更为灵活,可以满足市场微型化、定制化要求,将会是未来半导体行业主要模式。 4.全球封测市场规模增长明显 全球封测市场规模增长明显,预计2019年整体规模将超过300亿美元,2023年将达到400亿美元,市场集中度较为明显,前十大厂商市场份额约为80%,市场主要被中国大陆和中国台湾厂商所占据。 5.全球封测企业三季度业绩逐步回暖 根据拓璞产业院统计数据,截至2019年三季度整体封测行业呈现逐步回暖态势,主要原因是存储器价格跌幅趋缓以及智能手机销量略有回升,此外全球贸易环境趋于缓和,年底销售旺季备货需求增温,市场面逐渐复苏。 根据统计机构Canalys最新数据,2019年第三季度全球智能手机出货量同比增长1%,这也是智能手机市场首次出现增长,国内手机厂商华为表现亮眼,出货量同比增长29%,市场占有率19%排名第二。 根据DRAMeXchange调查显示,2019年下半年DRAM需求端库存水平已经回到健康水位,为应对之后市场的不确定性,已经在第三季度提前备货,带动了DRAM出货量大增,DRAM总产值同比增长4%,结束了连续三季的下滑态势。 全球前十大封测企业合计营收为60亿美元,同比上涨10.1%,环比增长18.7%,除了安靠、矽品、力成及联测业绩表现为同比下滑,其余厂商均表现为同比增长,国内通富微电及天水华天增速均在20%左右。 通过统计中国大陆及中国台湾封测厂商季度增速,我们可以看到,在今年三季度,除日月光外,其他厂商增速同比出现较为明显的回升或是跌幅缩窄,表明封测行业整体景气度有所回升。日月光同比增速较低,主要原因是在2018年由于矽品并表导致基数较高,因此今年增速有所下滑。 6.封测市场三分天下 全球封测市场中国台湾、中国大陆以及美国三足鼎立,2019年中国台湾占据半壁江山,市场份额为53.9%,排名前十的企业中有六家来自中国台湾,中国大陆近年来通过收购快速壮大,市场份额为28.1%,相较于2016年14%电容份额有较大的提升,美国仅有安靠一家排名前十,市场份额为18.1%。  7.我国封测行业增长迅猛 中国大陆半导体封测市场增长迅猛,根据中国半导体协会统计,大陆封测企业数量已经超过了120家,自2002年至2018年,我国集成电路销售规模从268.40亿元增长至6532亿元,年均复合增长率为22.08%。从细分产业来看,我国封装测试业的市场规模从2010年的632亿元,增长至2018年的2193.90亿元,复合增速为12.37%,增速低于集成电路整体增速。 封装测试行业占比处于保持下降的态势,从2014年的41.65%下降至2018年的31.81%,也表明我国半导体产业结构正在逐渐改善。  8.通过产业并购,我国封测行业取得了跨越式发展 近年来全球封测产业进行了新一轮洗牌,封测厂商之间发生了多起并购案,包括全球排名第一的日月光收购第四大封测厂矽品,日月光确立了全球封测厂的龙头地位,此外第二大封测厂也完成了对日本封测厂J-Device的完全控股。 大陆厂商在这轮洗牌中也发起来多起国际并购,我国封测行业取得了长足的发展。2014年11月,华天科技以4200万美元收购美国FlipChipInternational,LLC公司及其子公司100%的股权,提高了公司在晶圆级集成电路封装及FC集成电路封装的技术水平。 2015年1月,长电科技在国家集成电路产业基金的支持下,斥资7.8亿美元收购全球排名第四的新加坡封测厂星科金朋,获得了其先进封装技术以及欧美客户资源,长电科技市场份额跃居全球第三。 2015年10月,通富微电与AMD签订股权购买协议,出资3.7亿美元收购超威半导体技术(中国)有限公司和AdvancedMicroDevicesExportSdn.Bhd.各85%的股权。收购完成后,通富微电作为控股股东与AMD共同成立集成电路封测合资企业。 2017年到2018年,苏州固锝分两次完成了对马来西亚封测厂商AICS公司100%股权的收购。2018年9月,华天科技宣布要约收购马来西亚主板上市的半导体封测供应商UNISEMUnisem75.72%股权,合计要约对价达到29.92亿元。2018年11月,通富微电宣布,拟不超过2205万元收购马来西亚封测厂FABTRONICSDNBHD100%股份。 通过收购可以帮助大陆封测企业更快切入到国际厂商的供应链中,扩展海外优质客户群体的作用。由于封测行业具备客户黏性大的特点,收购可以给公司带来长期、稳定的业务。 3.传统封装日渐式微,先进封装蒸蒸日上 1.传统封装工艺应用于中低端市场 半导体封测传统工艺包括SOP、SOT、QFA、DIP、TO、QFP等工艺类型,并逐步向先进封装工艺WLCSP、SIP等发展。 对于传统封装工艺技术来说,技术成熟、成本较低、产能大,重点对标服务CPU、MCU、标准元器件等成熟市场,主要应用在消费类电子、汽车电子、照明电路、电源电器、通信设备等领域,市场占比较大。 2.产业对先进封装需求增加 半导体行业正处于一个转折点,得益于对更高集成度的广泛需求,摩尔定律放缓,交通、5G、消费电子、存储和计算、物联网(和工业物联网)、人工智能和高性能计算等大趋势推动下,先进封装已进入其最成功的时期。 半导体技术的节点扩展仍将继续,但每个新技术节点的诞生,已不能再带来像过去那样的成本/性能优势。先进的半导体封装可以通过增加功能和提高性能,来提高半导体产品的价值,同时降低成本。各种多芯片封装(系统级封装)解决方案正在开发,用于高端和低端,以及消费类、性能和特定应用。鉴于单个客户所需的定制化程度越来越高,这给封装供应商带来了巨大的压力。 通常先进封装和传统封装技术以是否存在焊线来进行区分,先进封装技术包括FCBGA、FCQFN、2.5D/3D、WLCSP、Fan-out等。 3.先进封装规模增长无惧半导体市场下滑 半导体行业经历了两位数的增长并在2017年和2018年收入创纪录,Yole预测2019年半导体行业将放缓增长。然而,先进封装有望保持其增长势头,同比增长约6%。先进封装市场将实现8%的复合年增长率,2024年市场产值达到440亿美元。相反,传统封装市场的同期复合年增长率仅2.4%,而集成电路整体封装业务的复合年增长率将为5%。 在先进封装业务中,倒装技术占比最高,TVS以及扇出则是增速最快的技术,2018年倒装芯片占先进封装市场80%,到2024年由于其他技术的快速发展将下降至72%,TVS及扇出的增长率都将达到26%,在各领域的应用将持续增长。 4.全球先进封装市场占比提升 2018年先进封装占整个封装市场42.1%,预计2018-2024年先进封装年均复合增速为8.2%,传统封装产品增速仅为2.4%,到2024年先进封装与传统封装市场规模将持平。 5.封测厂占据了最多的先进封装产能 封装测试厂占据了最多的先进封装产能,根据Yole统计,全球先进封装产能折算成300mm晶圆共计2980万片,其中封装测试厂占据了其中的61%,IDM厂商占比23%,代工厂为16%。 6.消费电子是先进封装占比最大领域 在应用方面,2018年移动和消费电子占先进封装整体市场的84%。2018-2024年,该应用复合年增长率将达到5%,到2024年占先进封装市场的72%。在收入方面,电信和基础设施是先进封装市场增长最快的细分市场(约28%),其市场份额将从2018年的6%增至到2024年的15%;与此同时,汽车和交通市场的份额将从9%增加到11%。7.我国先进封装加速追赶,技术平台已与国外同步 我国的封装业虽然起步很早、发展速度也很快,但是主要以传统封装产品为主,近年来国内厂商通过并购,快速积累先进封装技术,技术平台已经基本和海外厂商同步,BGA、TVS、WLCSP、SiP等先进封装技术已经实现量产,但是整体先进封装营收占总营收比例与中国台湾和美国地区还存在一定的差距。根据集邦咨询统计,2018年中国先进封装营收约为526亿元,占到国内封测总营收的25%,低于全球41%的比例,未来增长空间还很大。  此外大陆封装企业在高密度集成电路封装技术上与国际领先厂商还存在较大差距,比如HPC芯片封装技术,台积电提出的SoC多芯片3D堆叠技术,其采用了无凸起键合结
封装测试工艺
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发布时间:
2019-12-17 16:14
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