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封装形式介绍
封装形式的发展
SGNEC现有封装形式
封装
形式
SSIP
SOP
SOJ
TSP
QFP
数量
7P-9P
20P
-42P
-54P
44P
尺寸
(mail)
-
300-375
300-400
400
10*10
间距
(mm)
2.54
1.27
1.27
0.8
0.8
重量
(g)
0.47-0.59
0.28-0.48
0.75-1.7
0.54
0.54
SGNEC组立发展过程
组立流程
划片工艺
半切作业流程
全切作业流程
划片刀
划片外观检查
划伤:划伤是由于芯片表面接触到异物:如镊子,造成芯片内部的AI布线受到损伤或造成短路,而引起的不良。
缺损:缺损是由于芯片的边缘受到异物、或芯片之间的撞击,造成边缘缺损,有可能破坏AL布线或活性区,引起不良。
崩齿:由于大圆片为Si单晶体,在划片时就不可避免的形成崩齿,崩齿的大小与划片刀的种类有关,崩齿过大造成缺损。
粘污:粘污就是异物附在芯片表面,如:Si屑,会造成内部的短路等。
扩散:在扩散工序产生的不良,如:图形不完整等不良,也要在PMM工序予以去除。
划片参数
型号:崩齿、划伤、裂纹本身的寿命。
转速:缺损、崩齿。
速度:划片轨迹、崩齿、缺损。
方式:粘划片方式有向下、向上两种模式,对芯片表面及背面的崩齿(缺损)有影响。
高度:芯片背面Si屑、崩齿的情况有影响。
粘片工艺
封共晶合金法示意图
银浆粘片示意图
胶带粘片示意图
芯片的提取
粘片的工艺控制
①粘片的位置:使键合识别稳定。
②银浆饱和度:保证粘片的强度。
③粘片机械度:芯片的固着强度。
④芯片外基准:粘污,划伤,缺损。
⑤芯片的方向:在芯片胶带的接着强度。
键合工艺原理
键合工艺的控制
金球压着径
金球压着厚度
金线高度
金线拉断强度
金球剥离强度
键合主要不良项目
包装入库
包装的主要目的:保证运输过程中的产品安全,及长期存放时的产品可靠性。因此对包装材料的强度、重量、温湿度特性、抗静电性能都有一定的要求。
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