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精华 | 一文读懂封装测试工艺(超全超详细)

精华 | 一文读懂封装测试工艺(超全超详细)

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火蓝针测

来源:网络

封装形式介绍

封装形式的发展

SGNEC现有封装形式

封装

形式

SSIP

SOP

SOJ

TSP

QFP

数量

7P-9P

20P

-42P

-54P

44P

尺寸

(mail)

-

300-375

300-400

400

10*10

间距

(mm)

2.54

1.27

1.27

0.8

0.8

 

重量

(g)

0.47-0.59

0.28-0.48

0.75-1.7

0.54

0.54

SGNEC组立发展过程

组立流程

划片工艺

半切作业流程

全切作业流程

划片刀

划片外观检查

划伤:划伤是由于芯片表面接触到异物:如镊子,造成芯片内部的AI布线受到损伤或造成短路,而引起的不良。

缺损:缺损是由于芯片的边缘受到异物、或芯片之间的撞击,造成边缘缺损,有可能破坏AL布线或活性区,引起不良。

崩齿:由于大圆片为Si单晶体,在划片时就不可避免的形成崩齿,崩齿的大小与划片刀的种类有关,崩齿过大造成缺损。

粘污:粘污就是异物附在芯片表面,如:Si屑,会造成内部的短路等。

扩散:在扩散工序产生的不良,如:图形不完整等不良,也要在PMM工序予以去除。

 

划片参数

 

型号:崩齿、划伤、裂纹本身的寿命。

转速:缺损、崩齿。

速度:划片轨迹、崩齿、缺损。

方式:粘划片方式有向下、向上两种模式,对芯片表面及背面的崩齿(缺损)有影响。

高度:芯片背面Si屑、崩齿的情况有影响。

 

粘片工艺

 

 

封共晶合金法示意图

 

 

银浆粘片示意图

 

 

胶带粘片示意图

 

 

芯片的提取

 

 

 

粘片的工艺控制

 

①粘片的位置:使键合识别稳定。

②银浆饱和度:保证粘片的强度。

③粘片机械度:芯片的固着强度。

④芯片外基准:粘污,划伤,缺损。

⑤芯片的方向:在芯片胶带的接着强度。

 

键合工艺原理

 

 

键合工艺的控制

金球压着径

金球压着厚度

金线高度

金线拉断强度

金球剥离强度

 

键合主要不良项目

 

 

包装入库

包装的主要目的:保证运输过程中的产品安全,及长期存放时的产品可靠性。因此对包装材料的强度、重量、温湿度特性、抗静电性能都有一定的要求。

 

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