详细介绍
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Memory C.P.C Sample Specification
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Memory C.P.C 制作能力 最多针数 ●可制作3000 针以上 Pad Pitch ●30 μm(In-Line) ●10 μm/20 μm(Staggered) Small Pad ●可制作20×40 μm 以下 多DUTs 及多层构造 ●可制作 2×1，2×2，2×3及2×4 Multi Rows ●可制作4 Rows及16层 测试频率 ●可至 1 GHz 测试温度 ●-40℃~150℃
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